乾照光电申请LED芯片及其制作方法专利可提高LED芯片的抗静电能力
仿色防碰撞防静电层方框模糊主运动方向仿射纠正防磨损放慢四档防静电凯时AG金融界2024年6月7日消息,天眼查知识产权信息显示,厦门乾照光电股份有限公司申请一项名为一种LED芯片及其制作方法,...
仿色防碰撞防静电层方框模糊主运动方向仿射纠正防磨损放慢四档防静电凯时AG金融界2024年6月7日消息,天眼查知识产权信息显示,厦门乾照光电股份有限公司申请一项名为“一种LED芯片及其制作方法“,公开号CN5.2,申请日期为2024年3月。
专利摘要显示,本发明提供一种LED芯片及其制作方法,其中,LED芯片包括设置于衬底一侧的外延叠层,外延叠层包括依次堆叠的N型半导体层、有源区及P型半导体层,在N型半导体层背离衬底的一侧表面设置有位错再生层,用于湮灭由衬底向位错再生层延伸的第一穿透位错,并重新生成均匀分布的第二穿透位错;且位错再生层和有源区之间设有静电荷收集层,各第二穿透位错的顶部延伸至静电荷收集层作为V型凹坑的尖端起始点诱发形成均匀分布的V型凹坑以构成漏电通道,然后通过静电荷收集层将N型半导体层一侧的静电荷收集,并利用漏电通道将P型半导体层一侧的静电荷均匀的输送到静电荷收集层进行中和,可提高LED芯片的抗静电能力。
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